Yeni nəsil yaddaş kartları hazırlanır

“IBM” və “Samsung” şirkətləri “NAND” yaddaş toplayıcısından yüz min dəfə sürətli işləyən, oxuma və yazma üçün məhdudiyyətsiz dövrəyə malik, enerjidən asılı olmayan yaddaş kartının istehsalı üzrə texnoloji prosesin yaradıldığını bəyan ediblər.

“ictnews” saytına  xəbər verilir ki, şirkətlər birgə səylərlə “STT” (spin-transfer torque) texnologiyasından istifadə edərək yeni nəsil maqnitorezistiv yaddaş kartları (MRAM) hazırlayırlar. Bu, hazırda məlumatların saxlanılması üçün “NAND” yaddaş kartının istifadə olunduğu “Əşyalar interneti” texnologiyası cihazları, daşınan qurğular və mobil texnika üçün kiçik tutumlu daha səmərəli yaddaş mikrosxemləri yaratmağa imkan verəcək.

“IBM” və “Samsung” ilk dəfə layihələndirmə normasını impulsun 10 nanosaniyə davam etməsi və 7,5 mikroamperi ötməyən cərəyan gücü ilə 11 nanometrədək azaltmağa nail olub. Mütəxəssislərin sözlərinə görə, bu, böyük uğurdur.

“NAND” yaddaş kartları məlumatların yazılması üçün bir millisaniyə tələb etdiyi halda “MRAM” kartlarında bu prosedur üçün cəmi 10 nanosaniyə lazımdır. Beləliklə, “MRAM” yaddaşı yazılma sürətinə görə “NAND” toplayıcısını 100 min dəfə və oxunma sürətinə görə 10 dəfə üstələyir.

Bununla belə, yaxın gələcəkdə “STT MRAM” yaddaşının “DRAM” mikrosxemlərini əvəzləyəcəyi gözlənilmir.